Ponturi pentru utilzatorii de dispozitive cu carbura de siliciu
Ultima postare: ian 27 2021 09:55, Inițiat de
stdalionutpwr
, ian 27 2021 09:55
·
0
#1
Publicat: 27 ianuarie 2021 - 09:55
Diodele si mosfet-urile cu carbura de siliciu au devenit comune si ieftine, si sunt foarte utile celor care doresc sa upgradeze sau sa construiasca invertoare, pot fi utilzate ati pentru invertoare solare, invertoare de sudura cat si invertoare pentru motor.
Problema este ca se comporta destul de diferit de la producator la producator, Iata cateva ponturi din experienta personala. Diodele schottky cu carbura desi sunt normate la ceeasi tensiune, tensiunea reala de avalansa difera destul de mult intre producatori, de exemplu desi diodele de 1200v cree se pot folosi in topologia cu dioda dubla si priza mediana, pentru dc/dc de 400v cele de la ON nu merg, deorece au tensinea de avalansa mai mica decat primele. Mosfeturile cu carbura de;la ON se comporta prost daca circula curent prin body diode, trebuie neaprat adaugat o dioda schottky cu carrbura in paralel cu ele, cele de la Microchip, Rohm, merg si fara, cele de la Cree sunt intre, este bine de adaugat dioda. Toshiba a creat un mosfet cu carbura cu dioda schottky integrata la nivel de celula, tranzistorul este un singur chip, nu este un copack, cu sunt alte variante cu dioda schottky cu carbura integrata. Bipolarele cu carbura se comporta conform asteptarilor, doar ca au castig mai redus la curenti mici decat cele cu siliciu, in schimb castigul nu scade la curent mari, sunt mai problematic de utilizat la circuite autooscilante deoarece oscilatiile se amorseaza mai greu. J-fet ul cu carbura normal on functioneza conform asteptarilor, dar esxista si loturi fake care sunt aproape nefunctionale Editat de stdalionutpwr, 27 ianuarie 2021 - 10:00. |
Anunturi
Bun venit pe Forumul Softpedia!
▶ Utilizatori activi: 1
0 membri, 1 vizitatori, 0 utilizatori anonimi