GAA succesorul FinFET - Samsung este gata să înceapă producția de cipuri cu procesul de fabricație de 3 nanometri
Last Updated: Jul 03 2020 13:24, Started by
MembruAnonim
, Jul 01 2020 23:41
·
0
#1
Posted 01 July 2020 - 23:41
"GAA (gate-all-around) este cunoscut ca un succesor arhitectural al tehnologiei actuale FinFET. GAA va permite producătorilor de cipuri să împingă în continuare gama nanometrului pentru micro-cipuri. GAA-urile sunt succesorul FinFET-urilor, deoarece pot funcționa la dimensiuni sub 7 nm. Comparativ cu procesul de 5 nm, tehnologia GAA de 3 nm oferă o creștere cu peste 35% a eficienței zonei logice, au un consum de energie cu 50% mai mic și o performanță mai mare cu aproximativ 30%, a spus compania Samsung.
Samsung trece la procesul de 3 nm pentru fabricarea cipurilor Liderul de facto al Samsung Electronics, Lee Jae-yong, a discutat la sfârșitul săptămânii trecute despre strategia gigantului tehnologic de a utiliza prima tehnologie de 3 nanometri din lume pentru fabricarea cipurilor. Lee Jae-yong a vizitat centrul de cercetare și dezvoltare pentru semiconductori al companiei din Hwaseong. A fost prima vizită a șefului suprem Samsung la această unitate de producție din acest an. Moștenitorul Samsung a discutat despre planurile companiei de comercializare a cipurilor fabricate cu tehnologia de 3 nm, comandate de clienți din toată lumea. Samsung este gata să înceapă producția de cipuri cu procesul de fabricație de 3 nanometri. Cu tehnologia de producție de 3 nm Samsung se îndreaptă spre un nou viitor „Performanțele trecute nu reprezintă o garanție a succesului viitor”, a spus Lee în timpul unei prezentări noii tehnologii. „Trebuie să schimbăm radical practicile și mentalitățile proaste și să ne îndreptăm spre un nou viitor” a continuat Lee Jae-yong. „Vizita lui Lee la centrul de cercetare și dezvoltare a semiconductorilor evidențiază încă o dată angajamentul Samsung de a crește ca producător de cipuri de top în domeniul non-memoriei”. A declarat cu această ocazie un purtător de cuvânt al companiei Samsung. Gigantul tech a finalizat dezvoltarea unei tehnologii de proces FinFET de 5 nm bazate pe tehnologii extreme ultraviolet (EUV) în aprilie anul trecut. Acum Samsung poate începe producția de cipuri cu tehnologia de producție de 3 nm, de generație următoare. Samsung investește 144 miliarde de dolari în cipuri de memorie non-volatile Cel mai mare producător de cipuri de memorie din lume a investit masiv pentru a-și extinde supremația către sectorul non-memorie. Este o provocare adresată companiei TSMC din Taiwan și lui Qualcomm în materie de cipuri de procesare mobilă. Anul trecut, Samsung s-a angajat să investească aproximativ 114 miliarde de dolari în cipuri fără memorie non-volatilă până în 2030. Memoria non-volatilă este de obicei folosită pentru stocare secundară sau stocare persistentă pe termen lung. Scopul Samsung este de a deveni cel mai mare producător mondial de astfel de cipuri până în 2030." Edited by MembruAnonim, 01 July 2020 - 23:47. |
#2
Posted 02 July 2020 - 17:15
Ce cipuri? Despre ce e vorba?
Cipuri adica procesoare? Placi video? Nu inteleg... |
#3
Posted 02 July 2020 - 17:28
lost_in_a_dream, on 02 iulie 2020 - 17:15, said:
Ce cipuri? Despre ce e vorba? Cipuri adica procesoare? Placi video? Nu inteleg... La ce te referi? Se vorbeste despre arhitectura. https://en.wikipedia...ki/3_nm_process Planar-FinFET-GAA-MBCFET-Transistor.jpg 39.39K 2 downloads Intel.jpg 21.57K 2 downloads Edited by MembruAnonim, 02 July 2020 - 17:30. |
#4
Posted 02 July 2020 - 20:40
lost_in_a_dream, on 02 iulie 2020 - 17:15, said:
Ce cipuri? Despre ce e vorba? Cipuri adica procesoare? Placi video? Nu inteleg... https://en.wikipedia...egrated_circuit https://en.wikipedia...processing_unit in cazul cipurilor vechi , in cazul tehnologiilor de fabricare de sub 10 nanometrii , electronii aveau obiceiul sa sara intre porti astfel ca exista o limita teoretica |
#5
Posted 03 July 2020 - 06:59
Tot miniaturizare, nu se schimba paradigma.
Ne apropriem de limita, vrem, nu vrem. Eu vreau cipuri la 25ghz. |
#6
Posted 03 July 2020 - 07:28
pe wiki se explica in mare de ce e nevoei de gate care sa inconjoare. in principiu este vorba de campuri si cat de eficiente pot fi. astfel ca s-a ales asezarea asta ce permite campurilor sa se disperseze in toate colturile crescand controlul electronilor
Edited by karax, 03 July 2020 - 07:28. |
#7
Posted 03 July 2020 - 13:24
Vorbim de transistori care reprezinta ingredientul de baza al circuitelor integrate :
FinFET = Fin Field Effect Transistor GAAFET = Gate-all-around Field Effect Transistor |
Anunturi
Bun venit pe Forumul Softpedia!
▶ 0 user(s) are reading this topic
0 members, 0 guests, 0 anonymous users