Second Opinion
Folosind serviciul second opinion ne puteți trimite RMN-uri, CT -uri, angiografii, fișiere .pdf, documente medicale. Astfel vă vom putea da o opinie neurochirurgicală, fără ca aceasta să poată înlocui un consult de specialitate. Răspunsurile vor fi date prin e-mail în cel mai scurt timp posibil (de obicei în mai putin de 24 de ore, dar nu mai mult de 48 de ore). Second opinion – Neurohope este un serviciu gratuit. www.neurohope.ro |
Cell level SBD SIC mosfet
Last Updated: Nov 22 2020 11:25, Started by
stdalionutpwr
, Nov 22 2020 11:25
·
0
#1
Posted 22 November 2020 - 11:25
Au existatat dezbateri indelungi in legatura cu utilitatea unei diode schottky cu carbura de siliciu in paralele cu un mosfet cu carbura de siliciu.
La inceputuri existauu copack-uri mosfet dioda, promovate ca 0 Qrr devices, apoi s-a cam renuntat le ele, cei de la Toshiba au venit cu o noua abordare, au integrat dioda respectiva la nivel de celula, pe chipul mosfet-ului. Ei promoveaza dispozitivul ca fiind unul ce elimina problema cresterii rezistenyei in conductie a mosfetului in urma trecerii curentului pirin dioda asociata mosfetului (body diode). Alti producatori nu au pomenit vreodata problema respectiva. Mosfetul cu carbura de silicu a devenit dispozitivul standard in electronica de forta deoarece are performante net superioare IGBT-ului, personal le utilizez de 4 ani in electronica de forta din sistemul fotovoltaic, sunt net superioare dispozitivelor cu siliciu, utilizarea lor face sistemul fotovoltaic competitiv cu alte variante de energie electrica. Personal am constat o imbunatatire semnificativa a fiabilitatii prin utilizarea unor diode schottky cu carbura desiliciu in paralel cu mosfeturile cu carbura de siliciu, am instalat diode externe in urma cu cativa ani dupa ce s-au ars mosfeturile in surge load, de atunci nu s-au mai ars. Problema semnalata de de cei de la Toshiba se pare ca este reala, presonal n-am studiat nu am o confirmare clara, doar o banuiala. In privinta generalizariii acestui tip de mosfet cu carbura de siliciu, totul depinde de cum reusesc sa obtina o productie de masa cu preturi unitare mici. Deja alti producatori obtin aceste mosfeturi la preturi egale sau mai mici decat IGBT-urile, la o caliatate buna, au implementat altfel de inovatii precum si wafe subtiri care imbunatatesc performantele termice. https://ro.mouser.co...805-1894284.pdf |
Anunturi
▶ 0 user(s) are reading this topic
0 members, 0 guests, 0 anonymous users