Jump to content

SUBIECTE NOI
« 1 / 5 »
RSS
TVR Sport HD

Cost abonament clinica privata

Tremura toata, dar nu de la ro...

Renault Android
 Recomandare bicicleta e-bike 20&#...

Bing-Content removal tool

Nu pot accesa monitorulsv.ro de l...

Cum sa elimini urmele de acnee?
 Wc Geberit

Routere detinute in trecut si in ...

Teii din fața casei

E-Mail in serie prin Excel si Out...
 Modul alimentare rulou/jaluzea ex...

Recuperare fișiere dupa form...

Aplicatii stress test RAM

Asigurare auto hibrid
 

Cell level SBD SIC mosfet

- - - - -
  • Please log in to reply
No replies to this topic

#1
stdalionutpwr

stdalionutpwr

    Senior Member

  • Grup: Senior Members
  • Posts: 2,391
  • Înscris: 08.04.2020
Au existatat dezbateri indelungi in legatura cu utilitatea unei diode schottky cu carbura de siliciu in paralele cu un mosfet cu carbura de siliciu.

La inceputuri existauu copack-uri mosfet dioda, promovate ca 0 Qrr devices, apoi s-a cam renuntat le ele, cei de la Toshiba au venit cu o noua abordare, au integrat dioda respectiva la nivel de celula, pe chipul mosfet-ului.

Ei promoveaza dispozitivul ca fiind unul ce elimina problema cresterii rezistenyei in conductie a mosfetului in urma trecerii curentului pirin dioda asociata mosfetului (body diode).

Alti producatori nu au pomenit vreodata problema respectiva.

Mosfetul cu carbura de silicu a devenit dispozitivul standard in electronica de forta deoarece are performante net superioare IGBT-ului, personal le utilizez de  4 ani in electronica de forta din sistemul fotovoltaic, sunt net superioare dispozitivelor cu siliciu, utilizarea lor face sistemul fotovoltaic competitiv cu alte variante de energie electrica.

Personal am constat o imbunatatire semnificativa a fiabilitatii prin utilizarea unor diode schottky cu carbura desiliciu in paralel cu mosfeturile cu carbura de siliciu, am instalat diode externe in urma cu cativa ani dupa ce s-au ars mosfeturile in surge load, de atunci nu s-au mai ars.

Problema semnalata de de cei de la Toshiba se pare ca este reala, presonal n-am studiat nu am o confirmare clara, doar o banuiala.

In privinta generalizariii acestui tip de mosfet cu carbura de siliciu, totul depinde de cum reusesc sa obtina o productie de masa cu preturi unitare mici.

Deja alti producatori obtin aceste mosfeturi la preturi egale sau mai mici decat IGBT-urile, la o caliatate buna, au implementat altfel de inovatii precum si wafe subtiri care imbunatatesc performantele termice.



https://ro.mouser.co...805-1894284.pdf

Anunturi

Second Opinion Second Opinion

Folosind serviciul second opinion ne puteți trimite RMN-uri, CT -uri, angiografii, fișiere .pdf, documente medicale.

Astfel vă vom putea da o opinie neurochirurgicală, fără ca aceasta să poată înlocui un consult de specialitate. Răspunsurile vor fi date prin e-mail în cel mai scurt timp posibil (de obicei în mai putin de 24 de ore, dar nu mai mult de 48 de ore). Second opinion – Neurohope este un serviciu gratuit.

www.neurohope.ro

0 user(s) are reading this topic

0 members, 0 guests, 0 anonymous users

Forumul Softpedia foloseste "cookies" pentru a imbunatati experienta utilizatorilor Accept
Pentru detalii si optiuni legate de cookies si datele personale, consultati Politica de utilizare cookies si Politica de confidentialitate